tsop2-44

S6L8016W1M-UI55 8Mb异步低功耗SRAM

  • 从 45ns 开始的快速访问时间
  • 低功耗 CMOS 典型值 2μA 待机电流
  • 完全静态操作 - 无需时钟或刷新
  • 三态输出
  • 工业温度范围
  • 宽电源电压
分类： ,

技术规格

访问时间 Access Time 55ns
内存大小 Memory Size 8Mbit
组织 Organisation 512K x 16
电源电压 Supply Voltage 2.3~3.6V
访问时间 Access Time 45/55/70ns

详细描述

Netsol 低功耗 SRAM 使用基于六晶体管单元设计的先进 CMOS 工艺制造。该技术特别适用于电池备份应用，因为数据保持电流非常低。

Netsol 对长期供应的承诺对于设计周期长的工业和专业产品至关重要。

The Netsol Low Power SRAM is fabricated using advanced CMOS process based on a six-transistor cell design. This technology is particularly well suited for use in battery backup applications as the data retention current is very low.

Netsol's commitment to long term supply is essential for industrial and professional products with a long design cycle.

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