GKI-07113-5G N-Channel 表面贴装MOSFET

技术规格

漏-源极电压 Drain Source Voltage	75V
漏极电流 Drain Current	40A
功率 Power	77W
通态电阻 On-state Resistance	0.01Ω
反向恢复时间 Reverse Recovery Time	44ns
总栅极电荷Qg Total Gate Charge Qg	25nC

详细描述

适用于高功率放大器和通用开关应用。

Suitable for high power amplifiers and general switching applications.

规格书和资料

Data Sheet