FKI-10126-5G Sanken N-Channel MOSFET管

  • 低Qg MOSFET 系列
  • 低总栅极电荷
  • 低导通电阻
  • 高速切换
  • 4.6V 栅极驱动
  • TO220 / D2PAK 封装

技术规格

漏-源极电压 Drain Source Voltage 100V
漏极电流 Drain Current 41A
功率 Power 42W
通态电阻 On-state Resistance 0.01Ω
反向恢复时间 Reverse Recovery Time 55ns
总栅极电荷Qg Total Gate Charge Qg 45nC

详细描述

适用于高功率放大器和通用开关应用。

Suitable for high power amplifiers and general switching applications.

规格书和资料

Data Sheet