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2SB649AL-TN3-R PNP -160V -1.5A 晶体管
- 低噪声 PNP
- 用于麦克风前置应用
- 2SD669A 的补充
技术规格
击穿电压Vce Breakdown Voltage Vce | -160V |
最大集电极电流 Maximum Collector Current | -1.5A |
晶体管增益hFE Transistor Gain hFE | 160 |
功率 Power | 0.6W |
带宽 Bandwidth | 140MHz |
结电容 Junction Capacitance | 140pf |
详细描述
双极功率通用晶体管。
带有UTC 2SB669/ABipolar 功率通用晶体管的低频功率放大器互补对。
Bipolar power general purpose transistor.
Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB669/ABipolar power general purpose transistor.