Exicon MOSFET：传统设计，永恒的声音

EXICON横向MOSFET管专为高保真集成和功率放大器而设计。于1993年推出并于2015年改进，电流范围经过优化，可为高端线性放大器的设计提供巨大优势。

设计简单

设计的简单性最大限度地减少了对音频路径中附加组件的需求。负温度系数意味着Exicon MOSFET自然不会受到热失控的影响，并且匹配良好，因此不需要源电阻器。电压驱动也不需要驱动晶体管，因此去除了至少一个放大级。

非常高速

当信号变得具有挑战性时，例如脉冲响应或打击乐，需要非常快速的响应来保留信号中的细节。

极端线性

即使在应用负反馈之前，极高的线性度也会自然地产生低失真，从而进一步降低它。横向MOSFET很容易偏置——自然偏置点是温度系数为零的地方。对于EXICON MOSFET，这进一步进入A类区域，以最大限度地减少交叉失真。

坚固耐用

EXICON MOSFET坚固耐用，与双极晶体管不同，它们没有二次击穿；这意味着额定功率不会随着施加的电压而降低。器件很容易并联用于非常高功率的应用。

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